宿州变压器的EMI分析策略

对于宿州变压器系统；

因为任何产品都要有宿州变压器来供电，此处没有处理好一定会影响到其它的地方。

不论是什么产品-它的辐射或传导主要由这个产品内部的敏感器件造成的。

对于宿州变压器产品主要的EMC器件是：

MOS管、宿州变压器、输出整流二极管。

从综合角度来看，只要解决好这三个方面的协调问题EMC就不难搞定。

而解决EMC的方法概括来说就是：

消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。

a.消除就是用将干扰源通过热能的方式损耗掉，这种是制本的方式。

b.切除干扰传导的途径就是将干扰向外传递的路径切断，

使其无法向外干扰，也就是我们常做的滤波，屏蔽等方法。

c.疏导干扰源这种就是将干扰源引到不是敏感的器件及位置上；

如旁路，去藉，接地等方式。

如果对于EMC方面高效设计的细节可参考我的：

《宿州变压器：EMC-分析与设计》

我们来通过设计细节来探讨系统的EMI-辐射问题;

1.MOS管驱动电阻的设计对宿州变压器的辐射有比较大的影响；通过对方波及脉冲波的傅里叶变化，驱动电阻增大其谐波分量就会减少；宿州变压器要根据选择的IC和MOS管的参数情况，一般情况下MOS的驱动电阻******能大于或等于47R。降低驱动速度有利于改善MOS管与宿州变压器的辐射。如下图：

一般还有设计研发者，通过更改MOS器件来优lcjyg.com/化EMI设计的。

门极电阻值的大小，会影响MOSFET上升与下降沿速度（tr,tf）RR主管上升；

RF主管下降；也就影响了干扰源的频谱；F=1/(ЛTr)

MOS（DRV-f）速度就影响了干扰源源头的大小，过慢的DRV-f就会增加了MOSFET的的损耗；这时候要注意器件的温升是否符合标准了！

2.若辐射在30MHZ-80MHZ之间的设计裕量不够，还可适当地增加MOS管DS之间的电容值，以达到降低辐射量的效果。注意：这个电容我推荐要小于220PF；否则同样要注意器件的温升是否符合标准了！

3.在宿州变压器与MOS管D极之间如果能串入一个磁珠，也以降低MOS管电流的变化速度，这个设计可以降低上面的EMI辐射，提高设计裕量。推荐这个做法来解决MOS的温升问题！！还有的可以调整上面的参数设计，三种手段同时施加；再配合我的：《宿州变压器：EMC的分析与设计》快速设计理论 可以轻松搞定宿州变压器的EMI的问题啦；

4.若在输入AC线上套个磁环再绕上3圈，如果可以降低40-100MHZ之间辐射值；那么转化在电路设计时，就可以在输入EMI滤波部分中串入磁珠或采用如下方法增加磁珠就会达到同样的效果。还有***简单的方法是在L,N回路中分别加上两个磁珠。

5.在输出整流二极管上套磁珠，建议要把磁珠套在其电压动点变化的地方，其放置在宿州变压器输出接整流二极的地方；同时还要注意：次级输出整流二极管的钳位RC吸收电路，虽然di/dt比较小，但也尽量减少其环路面积，此环路对控制的EMI也很关键。

更多技术设计应用及技术交流；请关注公众号

http://www.dianyuan.com/class/album_118.html

《宿州变压器：EMC的分析与设计》

2018年宿州变压器网巡回研讨会（上海站）

活动时间：2018年9月15日（周六） 9:00-17:00

活动地点：上海中油阳光酒店上海市浦东新区东方路969号

会议：见宿州变压器网平台

特邀专家

杜佐兵

电磁兼容（EMC）线上&线下高级讲师

杜佐兵老师在电子行业从业近20年，是国家电工委员会高级注册EMC工程师，武汉大学光电工程学院、光电子半导体激光技术专家。目前专注于电子产品的电磁兼容设计、宿州变压器及LED背光驱动设计。

陶显芳

陶显芳老师在技术界有较高的声誉，被多家权威部门授予发明家称号，曾任深圳市计算机协会第六届副会长，现任：“中国管理科学研究院”特约研究员，“中国宿州变压器学会”专家委员会委员，“半导体应用联盟”秘书长。